2 అంగుళాల 50.8mm సిలికాన్ కార్బైడ్ SiC వేఫర్లు డోప్డ్ Si N-రకం ఉత్పత్తి పరిశోధన మరియు డమ్మీ గ్రేడ్

చిన్న వివరణ:

షాంఘై జింకెహుయ్ టెక్. కో., లిమిటెడ్ N- మరియు సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ రకాలతో ఆరు అంగుళాల వ్యాసం కలిగిన అధిక-నాణ్యత సిలికాన్ కార్బైడ్ వేఫర్‌లు మరియు సబ్‌స్ట్రేట్‌లకు ఉత్తమ ఎంపిక మరియు ధరలను అందిస్తుంది. ప్రపంచవ్యాప్తంగా చిన్న మరియు పెద్ద సెమీకండక్టర్ పరికర కంపెనీలు మరియు పరిశోధనా ప్రయోగశాలలు మా సిలికాన్ కార్బైడ్ వేఫర్‌లను ఉపయోగిస్తాయి మరియు ఆధారపడతాయి.


లక్షణాలు

2-అంగుళాల 4H-N అన్‌పోప్ చేయబడిన SiC వేఫర్‌లకు పారామెట్రిక్ ప్రమాణాలు ఉన్నాయి

సబ్‌స్ట్రేట్ మెటీరియల్: 4H సిలికాన్ కార్బైడ్ (4H-SiC)

స్ఫటిక నిర్మాణం: టెట్రాహెక్సాహెడ్రల్ (4H)

డోపింగ్: అన్‌డోప్డ్ (4H-N)

పరిమాణం: 2 అంగుళాలు

వాహకత రకం: N-రకం (n-డోప్డ్)

వాహకత: సెమీకండక్టర్

మార్కెట్ ఔట్‌లుక్: 4H-N నాన్-డోప్డ్ SiC వేఫర్‌లు అధిక ఉష్ణ వాహకత, తక్కువ వాహక నష్టం, అద్భుతమైన అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మరియు అధిక యాంత్రిక స్థిరత్వం వంటి అనేక ప్రయోజనాలను కలిగి ఉన్నాయి మరియు అందువల్ల పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు RF అప్లికేషన్‌లలో విస్తృత మార్కెట్ దృక్పథాన్ని కలిగి ఉన్నాయి. పునరుత్పాదక శక్తి, ఎలక్ట్రిక్ వాహనాలు మరియు కమ్యూనికేషన్ల అభివృద్ధితో, అధిక సామర్థ్యం, ​​అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆపరేషన్ మరియు అధిక శక్తి సహనం కలిగిన పరికరాలకు డిమాండ్ పెరుగుతోంది, ఇది 4H-N నాన్-డోప్డ్ SiC వేఫర్‌లకు విస్తృత మార్కెట్ అవకాశాన్ని అందిస్తుంది.

ఉపయోగాలు: 2-అంగుళాల 4H-N నాన్-డోప్డ్ SiC వేఫర్‌లను వివిధ రకాల పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు RF పరికరాలను తయారు చేయడానికి ఉపయోగించవచ్చు, వీటిలో ఇవి ఉన్నాయి కానీ వీటికే పరిమితం కాదు:

1--4H-SiC MOSFETలు: అధిక శక్తి/అధిక ఉష్ణోగ్రత అనువర్తనాల కోసం మెటల్ ఆక్సైడ్ సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్లు. ఈ పరికరాలు అధిక సామర్థ్యం మరియు విశ్వసనీయతను అందించడానికి తక్కువ ప్రసరణ మరియు మార్పిడి నష్టాలను కలిగి ఉంటాయి.

2--4H-SiC JFETలు: RF పవర్ యాంప్లిఫైయర్ మరియు స్విచింగ్ అప్లికేషన్ల కోసం జంక్షన్ FETలు. ఈ పరికరాలు అధిక ఫ్రీక్వెన్సీ పనితీరును మరియు అధిక ఉష్ణ స్థిరత్వాన్ని అందిస్తాయి.

3--4H-SiC షాట్కీ డయోడ్‌లు: అధిక శక్తి, అధిక ఉష్ణోగ్రత, అధిక పౌనఃపున్య అనువర్తనాల కోసం డయోడ్‌లు. ఈ పరికరాలు తక్కువ ప్రసరణ మరియు మార్పిడి నష్టాలతో అధిక సామర్థ్యాన్ని అందిస్తాయి.

4--4H-SiC ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు: అధిక శక్తి లేజర్ డయోడ్‌లు, UV డిటెక్టర్లు మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు వంటి ప్రాంతాలలో ఉపయోగించే పరికరాలు. ఈ పరికరాలు అధిక శక్తి మరియు ఫ్రీక్వెన్సీ లక్షణాలను కలిగి ఉంటాయి.

సారాంశంలో, 2-అంగుళాల 4H-N నాన్-డోప్డ్ SiC వేఫర్‌లు విస్తృత శ్రేణి అనువర్తనాలకు, ముఖ్యంగా పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు RFలో సంభావ్యతను కలిగి ఉంటాయి. వాటి అత్యుత్తమ పనితీరు మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత స్థిరత్వం అధిక-పనితీరు, అధిక-ఉష్ణోగ్రత మరియు అధిక-శక్తి అనువర్తనాల కోసం సాంప్రదాయ సిలికాన్ పదార్థాలను భర్తీ చేయడానికి వాటిని బలమైన పోటీదారుగా చేస్తాయి.

వివరణాత్మక రేఖాచిత్రం

ఉత్పత్తి పరిశోధన మరియు నకిలీ గ్రేడ్ (1)
ఉత్పత్తి పరిశోధన మరియు నకిలీ గ్రేడ్ (2)

  • మునుపటి:
  • తరువాత:

  • మీ సందేశాన్ని ఇక్కడ వ్రాసి మాకు పంపండి.