3 అంగుళాల 76.2mm 4H-సెమీ SiC సబ్‌స్ట్రేట్ పొర సిలికాన్ కార్బైడ్ సెమీ-ఇన్సల్టింగ్ SiC పొరలు

సంక్షిప్త వివరణ:

ఎలక్ట్రానిక్ మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరిశ్రమకు అధిక నాణ్యత గల సింగిల్ క్రిస్టల్ SiC పొర (సిలికాన్ కార్బైడ్). 3inch SiC పొర అనేది తదుపరి తరం సెమీకండక్టర్ పదార్థం, 3-అంగుళాల వ్యాసం కలిగిన సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ సిలికాన్-కార్బైడ్ పొరలు. పొరలు పవర్, RF మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ పరికరాల తయారీకి ఉద్దేశించబడ్డాయి.

మాకు ఇమెయిల్ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

ఉత్పత్తి స్పెసిఫికేషన్

3-అంగుళాల 4H సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ SiC (సిలికాన్ కార్బైడ్) సబ్‌స్ట్రేట్ పొరలు సాధారణంగా ఉపయోగించే సెమీకండక్టర్ పదార్థం. 4H టెట్రాహెక్సాహెడ్రల్ క్రిస్టల్ నిర్మాణాన్ని సూచిస్తుంది. సెమీ-ఇన్సులేషన్ అంటే సబ్‌స్ట్రేట్ అధిక నిరోధక లక్షణాలను కలిగి ఉంటుంది మరియు ప్రస్తుత ప్రవాహం నుండి కొంతవరకు వేరుచేయబడుతుంది.

ఇటువంటి ఉపరితల పొరలు క్రింది లక్షణాలను కలిగి ఉంటాయి: అధిక ఉష్ణ వాహకత, తక్కువ ప్రసరణ నష్టం, అద్భుతమైన అధిక ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మరియు అద్భుతమైన యాంత్రిక మరియు రసాయన స్థిరత్వం. సిలికాన్ కార్బైడ్ విస్తృత శక్తి అంతరాన్ని కలిగి ఉంటుంది మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రతలు మరియు అధిక విద్యుత్ క్షేత్ర పరిస్థితులను తట్టుకోగలదు కాబట్టి, పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్ మరియు రేడియో ఫ్రీక్వెన్సీ (RF) పరికరాలలో 4H-SiC సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ పొరలు విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతున్నాయి.

4H-SiC సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ పొరల యొక్క ప్రధాన అనువర్తనాలు:

1--పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్: MOSFETలు (మెటల్ ఆక్సైడ్ సెమీకండక్టర్ ఫీల్డ్ ఎఫెక్ట్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు), IGBTలు (ఇన్సులేటెడ్ గేట్ బైపోలార్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు) మరియు షాట్కీ డయోడ్‌లు వంటి పవర్ స్విచింగ్ పరికరాలను తయారు చేయడానికి 4H-SiC పొరలను ఉపయోగించవచ్చు. ఈ పరికరాలు అధిక వోల్టేజ్ మరియు అధిక ఉష్ణోగ్రత పరిసరాలలో తక్కువ ప్రసరణ మరియు మారే నష్టాలను కలిగి ఉంటాయి మరియు అధిక సామర్థ్యం మరియు విశ్వసనీయతను అందిస్తాయి.

2--రేడియో ఫ్రీక్వెన్సీ (RF) పరికరాలు: 4H-SiC సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ పొరలను అధిక శక్తి, అధిక ఫ్రీక్వెన్సీ RF పవర్ యాంప్లిఫైయర్‌లు, చిప్ రెసిస్టర్‌లు, ఫిల్టర్‌లు మరియు ఇతర పరికరాలను రూపొందించడానికి ఉపయోగించవచ్చు. సిలికాన్ కార్బైడ్ దాని పెద్ద ఎలక్ట్రాన్ సంతృప్త డ్రిఫ్ట్ రేటు మరియు అధిక ఉష్ణ వాహకత కారణంగా మెరుగైన హై-ఫ్రీక్వెన్సీ పనితీరు మరియు ఉష్ణ స్థిరత్వం కలిగి ఉంటుంది.

3--ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ పరికరాలు: హై-పవర్ లేజర్ డయోడ్‌లు, UV లైట్ డిటెక్టర్లు మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్ ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లను తయారు చేయడానికి 4H-SiC సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ పొరలను ఉపయోగించవచ్చు.

మార్కెట్ దిశ పరంగా, పవర్ ఎలక్ట్రానిక్స్, RF మరియు ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ యొక్క పెరుగుతున్న రంగాలతో 4H-SiC సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ పొరల కోసం డిమాండ్ పెరుగుతోంది. శక్తి సామర్థ్యం, ఎలక్ట్రిక్ వాహనాలు, పునరుత్పాదక శక్తి మరియు కమ్యూనికేషన్లతో సహా సిలికాన్ కార్బైడ్ విస్తృత శ్రేణి అనువర్తనాలను కలిగి ఉండటం దీనికి కారణం. భవిష్యత్తులో, 4H-SiC సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ పొరల మార్కెట్ చాలా ఆశాజనకంగా ఉంది మరియు వివిధ అప్లికేషన్‌లలో సాంప్రదాయ సిలికాన్ పదార్థాలను భర్తీ చేయాలని భావిస్తున్నారు.