4 అంగుళాల SiC వేఫర్స్ 6H సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ SiC సబ్‌స్ట్రేట్స్ ప్రైమ్, రీసెర్చ్ మరియు డమ్మీ గ్రేడ్

4 అంగుళాల SiC వేఫర్‌లు 6H సెమీ-ఇన్సులేటింగ్ SiC సబ్‌స్ట్రేట్‌లు ప్రైమ్, రీసెర్చ్ మరియు డమ్మీ గ్రేడ్ ఫీచర్ చేయబడిన చిత్రం

చిన్న వివరణ:

సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ క్రిస్టల్ వృద్ధి తర్వాత కటింగ్, గ్రైండింగ్, పాలిషింగ్, క్లీనింగ్ మరియు ఇతర ప్రాసెసింగ్ టెక్నాలజీ ద్వారా సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్ ఏర్పడుతుంది.ఒక పొర లేదా బహుళస్థాయి క్రిస్టల్ పొరను ఎపిటాక్సీగా నాణ్యత అవసరాలకు అనుగుణంగా ఉండే ఉపరితలంపై పెంచుతారు, ఆపై మైక్రోవేవ్ RF పరికరం సర్క్యూట్ డిజైన్ మరియు ప్యాకేజింగ్‌ను కలపడం ద్వారా తయారు చేయబడుతుంది.2inch 3inch 4incgh 6inch 8 అంగుళాల పారిశ్రామిక, పరిశోధన మరియు పరీక్ష గ్రేడ్ సెమీ-ఇన్సులేటెడ్ సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లుగా అందుబాటులో ఉంది.

మాకు ఇమెయిల్ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

ఉత్పత్తి స్పెసిఫికేషన్

గ్రేడ్			జీరో MPD ఉత్పత్తి గ్రేడ్ (Z గ్రేడ్)			ప్రామాణిక ఉత్పత్తి గ్రేడ్(P గ్రేడ్)		డమ్మీ గ్రేడ్ (D గ్రేడ్)
వ్యాసం			99.5 mm~100.0 mm
	4H-SI		500 μm±20 μm			500 μm±25 μm
వేఫర్ ఓరియంటేషన్			ఆఫ్ యాక్సిస్ : 4.0° వైపు< 1120 > ±0.5° 4H-N, ఆన్ యాక్సిస్ : <0001>±0.5° 4H-SI కోసం
	4H-SI		≤1సెం.మీ^-2			≤5 సెం.మీ^-2		≤15 సెం.మీ^-2
	4H-SI		≥1E9 Ω·సెం					≥1E5 Ω·సెం
ప్రాథమిక ఫ్లాట్ ఓరియంటేషన్		{10-10} ±5.0°
ప్రాథమిక ఫ్లాట్ పొడవు		32.5 మిమీ ± 2.0 మిమీ
సెకండరీ ఫ్లాట్ పొడవు		18.0 మిమీ ± 2.0 మిమీ
సెకండరీ ఫ్లాట్ ఓరియంటేషన్		సిలికాన్ ముఖం: 90° CW.ప్రైమ్ ఫ్లాట్ ±5.0° నుండి
ఎడ్జ్ మినహాయింపు		3 మి.మీ
LTV/TTV/బో / వార్ప్		≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm						≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
కరుకుదనం			సి ముఖం				పోలిష్		Ra≤1 nm
			సి ముఖం	CMP	Ra≤0.2 nm					రా≤0.5 nm
అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా అంచు పగుళ్లు		ఏదీ లేదు						సంచిత పొడవు ≤ 10 మిమీ, సింగిల్ పొడవు≤2 మిమీ
హై ఇంటెన్సిటీ లైట్ ద్వారా హెక్స్ ప్లేట్లు		సంచిత ప్రాంతం ≤0.05%						సంచిత ప్రాంతం ≤0.1%
అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా పాలీటైప్ ప్రాంతాలు		ఏదీ లేదు						సంచిత ప్రాంతం≤3%
విజువల్ కార్బన్ చేరికలు		సంచిత ప్రాంతం ≤0.05%						సంచిత ప్రాంతం ≤3%
అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా సిలికాన్ ఉపరితల గీతలు		ఏదీ లేదు						సంచిత పొడవు≤1＊ పొర వ్యాసం
ఇంటెన్సిటీ లైట్ ద్వారా ఎడ్జ్ చిప్స్ హై		≥0.2 మిమీ వెడల్పు మరియు లోతు ఏదీ అనుమతించబడలేదు						5 అనుమతించబడింది, ఒక్కొక్కటి ≤1 మిమీ
అధిక తీవ్రత ద్వారా సిలికాన్ ఉపరితల కాలుష్యం		ఏదీ లేదు
ప్యాకేజింగ్		మల్టీ-వేఫర్ క్యాసెట్ లేదా సింగిల్ వేఫర్ కంటైనర్