4H-N 8 అంగుళాల SiC సబ్‌స్ట్రేట్ పొర సిలికాన్ కార్బైడ్ డమ్మీ రీసెర్చ్ గ్రేడ్ 500um మందం

సిలికాన్ కార్బైడ్ (SiC) పొరలు మరియు ఉపరితలాలను ఎన్నుకునేటప్పుడు, పరిగణించవలసిన అనేక అంశాలు ఉన్నాయి.ఇక్కడ కొన్ని ముఖ్యమైన ప్రమాణాలు ఉన్నాయి:

మెటీరియల్ రకం: 4H-SiC లేదా 6H-SiC వంటి మీ అప్లికేషన్‌కు సరిపోయే SiC మెటీరియల్ రకాన్ని నిర్ణయించండి.అత్యంత సాధారణంగా ఉపయోగించే క్రిస్టల్ నిర్మాణం 4H-SiC.

డోపింగ్ రకం: మీకు డోప్ చేయబడిన లేదా అన్‌డోప్ చేయని SiC సబ్‌స్ట్రేట్ కావాలా అని నిర్ణయించుకోండి.మీ నిర్దిష్ట అవసరాలపై ఆధారపడి సాధారణ డోపింగ్ రకాలు N-రకం (n-డోప్డ్) లేదా P-రకం (p-డోప్డ్).

క్రిస్టల్ నాణ్యత: SiC పొరలు లేదా సబ్‌స్ట్రేట్‌ల క్రిస్టల్ నాణ్యతను అంచనా వేయండి.లోపాల సంఖ్య, స్ఫటికాకార ధోరణి మరియు ఉపరితల కరుకుదనం వంటి పారామితుల ద్వారా కావలసిన నాణ్యత నిర్ణయించబడుతుంది.

పొర వ్యాసం: మీ అప్లికేషన్ ఆధారంగా తగిన పొర పరిమాణాన్ని ఎంచుకోండి.సాధారణ పరిమాణాలలో 2 అంగుళాలు, 3 అంగుళాలు, 4 అంగుళాలు మరియు 6 అంగుళాలు ఉంటాయి.పెద్ద వ్యాసం, మీరు పొరకు ఎక్కువ దిగుబడిని పొందవచ్చు.

మందం: SiC పొరలు లేదా ఉపరితలాల యొక్క కావలసిన మందాన్ని పరిగణించండి.సాధారణ మందం ఎంపికలు కొన్ని మైక్రోమీటర్ల నుండి అనేక వందల మైక్రోమీటర్ల వరకు ఉంటాయి.

ఓరియంటేషన్: మీ అప్లికేషన్ అవసరాలకు అనుగుణంగా ఉండే స్ఫటికాకార ధోరణిని నిర్ణయించండి.సాధారణ దిశలలో 4H-SiC కోసం (0001) మరియు 6H-SiC కోసం (0001) లేదా (0001̅) ఉన్నాయి.

ఉపరితల ముగింపు: SiC పొరలు లేదా ఉపరితలాల ఉపరితల ముగింపును అంచనా వేయండి.ఉపరితలం మృదువైన, మెరుగుపెట్టిన మరియు గీతలు లేదా కలుషితాలు లేకుండా ఉండాలి.

సరఫరాదారు కీర్తి: అధిక-నాణ్యత SiC వేఫర్‌లు మరియు సబ్‌స్ట్రేట్‌లను ఉత్పత్తి చేయడంలో విస్తృతమైన అనుభవంతో పేరున్న సరఫరాదారుని ఎంచుకోండి.తయారీ సామర్థ్యాలు, నాణ్యత నియంత్రణ మరియు కస్టమర్ సమీక్షలు వంటి అంశాలను పరిగణించండి.

ఖర్చు: ఒక్కో పొర లేదా సబ్‌స్ట్రేట్‌కు ధర మరియు ఏదైనా అదనపు అనుకూలీకరణ ఖర్చులతో సహా ఖర్చు ప్రభావాలను పరిగణించండి.

ఎంచుకున్న SiC వేఫర్‌లు మరియు సబ్‌స్ట్రేట్‌లు మీ నిర్దిష్ట అప్లికేషన్ అవసరాలకు అనుగుణంగా ఉన్నాయని నిర్ధారించుకోవడానికి ఈ కారకాలను జాగ్రత్తగా అంచనా వేయడం మరియు పరిశ్రమ నిపుణులు లేదా సరఫరాదారులతో సంప్రదించడం చాలా ముఖ్యం.