4H-N/6H-N SiC వేఫర్ పరిశోధన ఉత్పత్తి డమ్మీ గ్రేడ్ డయా150mm సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్

గ్రేడ్

జీరో MPD

ఉత్పత్తి

పరిశోధన గ్రేడ్

డమ్మీ గ్రేడ్

వ్యాసం

150.0మిమీ±0.25మిమీ

మందం

4H-ఎన్

350um±25um

4H-SI తెలుగు in లో

500±25um (అంటే)

వేఫర్ ఓరియంటేషన్

అక్షం మీద :<0001>4H-SI కి ±0.5°
ఆఫ్ యాక్సిస్: 4H-N కి 4.0° వైపు <1120>±0.5°

ప్రాథమిక ఫ్లాట్

{10-10}±5.0°

ప్రాథమిక ఫ్లాట్ పొడవు

47.5మిమీ±2.5మిమీ

అంచు మినహాయింపు

3మి.మీ

TTV/బో/వార్ప్

≤15um/≤40um/≤60um

మైక్రోపైప్ సాంద్రత

≤1సెం.మీ-2

≤5సెం.మీ-2

≤15 సెం.మీ-2

≤50సెం.మీ-2

రెసిస్టివిటీ 4H-N 4H-SI

0.015~0.028Ω!సెం.మీ

≥1E5Ω!సెం.మీ

కరుకుదనం

పోలిష్ Ra ≤1nm CMP Ra ≤0.5nm

#అధిక తీవ్రత గల కాంతి వల్ల పగుళ్లు

ఏదీ లేదు

1 అనుమతించబడింది ,≤2మి.మీ.

సంచిత పొడవు ≤10mm, ఒకే పొడవు ≤2mm

* అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా హెక్స్ ప్లేట్లు

సంచిత ప్రాంతం ≤1%

సంచిత ప్రాంతం ≤ 2%

సంచిత ప్రాంతం ≤ 5%

*అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా పాలిటైప్ ప్రాంతాలు

ఏదీ లేదు

సంచిత ప్రాంతం ≤ 2%

సంచిత ప్రాంతం ≤ 5%

*&అధిక తీవ్రత గల కాంతి ద్వారా గీతలు పడతాయి

1 x వేఫర్ వ్యాసం కలిగిన సంచిత పొడవుకు 3 గీతలు

1 x వేఫర్ వ్యాసం కలిగిన సంచిత పొడవుకు 5 గీతలు

5 గీతలు నుండి 1 x వేఫర్ వ్యాసం కలిగిన సంచిత పొడవు

అంచు చిప్

ఏదీ లేదు

3 అనుమతించబడినవి, ఒక్కొక్కటి ≤0.5mm

5 అనుమతించబడినవి, ఒక్కొక్కటి ≤1మి.మీ.

అధిక తీవ్రత గల కాంతి ద్వారా కాలుష్యం

ఏదీ లేదు