4H-N/6H-N SiC వేఫర్ రీసెర్చ్ ప్రొడక్షన్ డమ్మీ గ్రేడ్ Dia150mm సిలికాన్ కార్బైడ్ సబ్‌స్ట్రేట్

గ్రేడ్

జీరో MPD

ఉత్పత్తి

పరిశోధన గ్రేడ్

డమ్మీ గ్రేడ్

వ్యాసం

150.0mm ± 0.25mm

మందం

4H-N

350um±25um

4H-SI

500um±25um

వేఫర్ ఓరియంటేషన్

4H-SI కోసం అక్షం :<0001>±0.5°
ఆఫ్ అక్షం : 4H-N కోసం 4.0° వైపు<1120>±0.5°

ప్రాథమిక ఫ్లాట్

{10-10}±5.0°

ప్రాథమిక ఫ్లాట్ పొడవు

47.5mm ± 2.5mm

అంచు మినహాయింపు

3మి.మీ

TTV/బో/వార్ప్

≤15um/≤40um/≤60um

మైక్రోపైప్ సాంద్రత

≤1cm-2

≤5cm-2

≤15cm-2

≤50cm-2

రెసిస్టివిటీ 4H-N 4H-SI

0.015~0.028Ω!సెం.మీ

≥1E5Ω!సెం.మీ

కరుకుదనం

పోలిష్ రా ≤1nm CMP Ra≤0.5nm

#అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా పగుళ్లు

ఏదీ లేదు

1 అనుమతి ,≤2మి.మీ

సంచిత పొడవు ≤10mm, ఒకే పొడవు≤2mm

*అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా హెక్స్ ప్లేట్లు

సంచిత ప్రాంతం ≤1%

సంచిత ప్రాంతం ≤ 2%

సంచిత ప్రాంతం ≤ 5%

*అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా పాలిటైప్ ప్రాంతాలు

ఏదీ లేదు

సంచిత ప్రాంతం ≤ 2%

సంచిత ప్రాంతం ≤ 5%

*&అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా గీతలు

3 గీతలు నుండి 1 x పొర వ్యాసం సంచిత పొడవు

5 గీతలు నుండి 1 x పొర వ్యాసం సంచిత పొడవు

5 గీతలు నుండి 1 x పొర వ్యాసం సంచిత పొడవు

ఎడ్జ్ చిప్

ఏదీ లేదు

3 అనుమతించబడింది ,≤0.5mm ఒక్కొక్కటి

5 అనుమతించబడినవి ,≤1mm ఒక్కొక్కటి

అధిక తీవ్రత కాంతి ద్వారా కాలుష్యం

ఏదీ లేదు