MOS లేదా SBD ప్రొడక్షన్ రీసెర్చ్ మరియు డమ్మీ గ్రేడ్ కోసం 6 అంగుళాల 150mm సిలికాన్ కార్బైడ్ SiC వేఫర్స్ 4H-N రకం

MOS లేదా SBD ప్రొడక్షన్ రీసెర్చ్ కోసం 6 అంగుళాల 150mm సిలికాన్ కార్బైడ్ SiC వేఫర్స్ 4H-N రకం మరియు డమ్మీ గ్రేడ్ ఫీచర్ చేసిన చిత్రం

సంక్షిప్త వివరణ:

6-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ అద్భుతమైన భౌతిక మరియు రసాయన లక్షణాలతో కూడిన అధిక-పనితీరు గల పదార్థం. అధిక-స్వచ్ఛత కలిగిన సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ మెటీరియల్ నుండి తయారు చేయబడింది, ఇది ఉన్నతమైన ఉష్ణ వాహకత, యాంత్రిక స్థిరత్వం మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకతను ప్రదర్శిస్తుంది. ఖచ్చితమైన తయారీ ప్రక్రియలు మరియు అధిక-నాణ్యత పదార్థాలతో తయారు చేయబడిన ఈ సబ్‌స్ట్రేట్, వివిధ రంగాలలో అధిక సామర్థ్యం గల ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల తయారీకి ప్రాధాన్య పదార్థంగా మారింది.

మాకు ఇమెయిల్ పంపండి

ఉత్పత్తి వివరాలు

ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

అప్లికేషన్ ఫీల్డ్స్

6-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ బహుళ పరిశ్రమలలో కీలక పాత్ర పోషిస్తుంది. ముందుగా, ఇది పవర్ ట్రాన్సిస్టర్‌లు, ఇంటిగ్రేటెడ్ సర్క్యూట్‌లు మరియు పవర్ మాడ్యూల్స్ వంటి అధిక-శక్తి ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల తయారీకి సెమీకండక్టర్ పరిశ్రమలో విస్తృతంగా ఉపయోగించబడుతుంది. దీని అధిక ఉష్ణ వాహకత మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకత మెరుగైన ఉష్ణ వెదజల్లడానికి వీలు కల్పిస్తుంది, ఫలితంగా మెరుగైన సామర్థ్యం మరియు విశ్వసనీయత ఏర్పడుతుంది. రెండవది, కొత్త పదార్థాలు మరియు పరికరాల అభివృద్ధికి పరిశోధనా రంగాలలో సిలికాన్ కార్బైడ్ పొరలు అవసరం. అదనంగా, సిలికాన్ కార్బైడ్ పొర LEDలు మరియు లేజర్ డయోడ్‌ల తయారీతో సహా ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ రంగంలో విస్తృతమైన అప్లికేషన్‌లను కనుగొంటుంది.

ఉత్పత్తి లక్షణాలు

6-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ 6 అంగుళాల (సుమారు 152.4 మిమీ) వ్యాసం కలిగి ఉంటుంది. ఉపరితల కరుకుదనం Ra <0.5 nm, మరియు మందం 600 ± 25 μm. కస్టమర్ అవసరాల ఆధారంగా సబ్‌స్ట్రేట్‌ను N-రకం లేదా P-రకం వాహకతతో అనుకూలీకరించవచ్చు. అంతేకాకుండా, ఇది అసాధారణమైన యాంత్రిక స్థిరత్వాన్ని ప్రదర్శిస్తుంది, ఒత్తిడి మరియు కంపనాలను తట్టుకోగలదు.

వ్యాసం		150±2.0mm (6అంగుళాల)
మందం		350 μm±25μm
ఓరియంటేషన్		అక్షం మీద: <0001>±0.5°		ఆఫ్ యాక్సిస్: 4.0° వైపు 1120±0.5°
పాలీటైప్		4H
రెసిస్టివిటీ(Ω·cm)	4H-N	0.015~0.028 Ω·cm/0.015~0.025ohm·cm
	4/6H-SI	>1E5
ప్రాథమిక ఫ్లాట్ ఓరియంటేషన్		{10-10}±5.0°
ప్రాథమిక ఫ్లాట్ పొడవు (మిమీ)		47.5 మిమీ ± 2.5 మిమీ
అంచు		చాంఫెర్
TTV/బో/వార్ప్ (ఉమ్)		≤15 /≤40 /≤60
AFM ఫ్రంట్ (Si-ఫేస్)		పోలిష్ Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.5 nm
LTV		≤3μm(10mm*10mm)	≤5μm(10mm*10mm)		≤10μm(10mm*10mm)
టిటివి		≤5μm	≤10μm		≤15μm
ఆరెంజ్ పై తొక్క/గుంటలు/పగుళ్లు/కాలుష్యం/మచ్చలు/పొరలు		ఏదీ లేదు	ఏదీ లేదు		ఏదీ లేదు
ఇండెంట్లు		ఏదీ లేదు	ఏదీ లేదు		ఏదీ లేదు

6-అంగుళాల సిలికాన్ కార్బైడ్ సింగిల్ క్రిస్టల్ సబ్‌స్ట్రేట్ అనేది సెమీకండక్టర్, రీసెర్చ్, అండ్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ పరిశ్రమలలో విస్తృతంగా ఉపయోగించే అధిక-పనితీరు గల పదార్థం. ఇది అద్భుతమైన ఉష్ణ వాహకత, యాంత్రిక స్థిరత్వం మరియు అధిక-ఉష్ణోగ్రత నిరోధకతను అందిస్తుంది, ఇది అధిక-శక్తి ఎలక్ట్రానిక్ పరికరాల కల్పనకు మరియు కొత్త మెటీరియల్ పరిశోధనకు అనుకూలం. విభిన్న కస్టమర్ డిమాండ్‌లను తీర్చడానికి మేము వివిధ స్పెసిఫికేషన్‌లు మరియు అనుకూలీకరణ ఎంపికలను అందిస్తాము.సిలికాన్ కార్బైడ్ పొరలపై మరిన్ని వివరాల కోసం మమ్మల్ని సంప్రదించండి!